maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DRA5115E0L
Référence fabricant | DRA5115E0L |
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Numéro de pièce future | FT-DRA5115E0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRA5115E0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-85 |
Package d'appareils du fournisseur | SMini3-F2-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA5115E0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRA5115E0L-FT |
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Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
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