maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DRA3114E0L
Référence fabricant | DRA3114E0L |
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Numéro de pièce future | FT-DRA3114E0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRA3114E0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SSSMini3-F2-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3114E0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRA3114E0L-FT |
PBRN113EK,115
NXP USA Inc.
PBRN113ZK,115
NXP USA Inc.
PBRN123EK,115
NXP USA Inc.
PBRN123YK,115
NXP USA Inc.
PDTA113EK,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTA114EK,115
NXP USA Inc.
PDTA114TK,115
NXP USA Inc.
PDTA114TK,135
NXP USA Inc.
PDTA114YK,115
NXP USA Inc.
XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
5SGSMD4E1H29C1N
Intel
10CL006YE144I7G
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
A1020B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation