maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DRA2523Y0L
Référence fabricant | DRA2523Y0L |
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Numéro de pièce future | FT-DRA2523Y0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRA2523Y0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G3-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2523Y0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRA2523Y0L-FT |
PDTB123ES,126
NXP USA Inc.
PDTB123TS,126
NXP USA Inc.
PDTB123YS,126
NXP USA Inc.
PDTC114ES,126
NXP USA Inc.
PDTC114TS,126
NXP USA Inc.
PDTC114YS,126
NXP USA Inc.
PDTC115ES,126
NXP USA Inc.
PDTC115TS,126
NXP USA Inc.
PDTC123ES,126
NXP USA Inc.
PDTC123JS,126
NXP USA Inc.
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
XCV300E-8FG256C
Xilinx Inc.
EP3C5U256I7
Intel
5SGSMD5K3F40C2
Intel
EP3C16E144I7
Intel
XC5VLX50-3FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C5
Intel