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Référence fabricant | DR127-8R2-R |
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Numéro de pièce future | FT-DR127-8R2-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DR |
DR127-8R2-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 6.32A |
Courant - Saturation | 12.2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 15.7 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.315" (8.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR127-8R2-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DR127-8R2-R-FT |
FP1308-R32-R
Eaton - Electronics Division
FP1308-R44-R
Eaton - Electronics Division
FP1308-R21-R
Eaton - Electronics Division
FP1308-R26-R
Eaton - Electronics Division
FP1308-R11-R
Eaton - Electronics Division
FP1109-R33-R
Eaton - Electronics Division
FP1109-R27-R
Eaton - Electronics Division
FP1109-1R0-R
Eaton - Electronics Division
FP1107R2-R30-R
Eaton - Electronics Division
FP1107R2-R15-R
Eaton - Electronics Division
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel