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Référence fabricant | DR1050-120-R |
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Numéro de pièce future | FT-DR1050-120-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DR1050 |
DR1050-120-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 12µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 3.94A |
Courant - Saturation | 4.1A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 30.4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.197" (5.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1050-120-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DR1050-120-R-FT |
9405R-10
API Delevan Inc.
9405R-12
API Delevan Inc.
9405R-14
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9405R-16
API Delevan Inc.
9405R-18
API Delevan Inc.
9405R-20
API Delevan Inc.
9405R-22
API Delevan Inc.
9405R-24
API Delevan Inc.
9405R-26
API Delevan Inc.
9405R-28
API Delevan Inc.
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C2LN
Intel
XC4006E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8820ARC208-2
Intel
EP1S40F1020C6
Intel