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Référence fabricant | DR1050-100-R |
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Numéro de pièce future | FT-DR1050-100-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DR1050 |
DR1050-100-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 4.8A |
Courant - Saturation | 4.58A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 22.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.197" (5.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1050-100-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DR1050-100-R-FT |
DR74-680-R
Eaton - Electronics Division
DR74-150-R
Eaton - Electronics Division
DR74-100-R
Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
DR74-221-R
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Eaton - Electronics Division
DR74-151-R
Eaton - Electronics Division
DR74-3R3-R
Eaton - Electronics Division
XC2VP70-6FF1517I
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A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V20B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
Intel
EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016QC208-3
Intel