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Référence fabricant | DR1030-6R8-R |
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Numéro de pièce future | FT-DR1030-6R8-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DR1030 |
DR1030-6R8-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 3.5A |
Courant - Saturation | 3.9A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.118" (3.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1030-6R8-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DR1030-6R8-R-FT |
DR74-820-R
Eaton - Electronics Division
DR74-R33-R
Eaton - Electronics Division
DR74-681-R
Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
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DR127-R47-R
Eaton - Electronics Division
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel