maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DN3135N8-G
Référence fabricant | DN3135N8-G |
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Numéro de pièce future | FT-DN3135N8-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DN3135N8-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 350V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 135mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 Ohm @ 150mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-243AA (SOT-89) |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN3135N8-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DN3135N8-G-FT |
PSMN018-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN019-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN023-40YLCX
NXP USA Inc.
PSMN030-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN039-100YS,115
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PSMN045-80YS,115
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PSMN059-150Y,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-40YLDX
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A3PE600-1PQG208I
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AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel