maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DN1509K1-G
Référence fabricant | DN1509K1-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DN1509K1-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DN1509K1-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 90V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 200mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 490mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-5 |
Paquet / caisse | SC-74A, SOT-753 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN1509K1-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DN1509K1-G-FT |
PH9025L,115
NXP USA Inc.
PH9030AL,115
NXP USA Inc.
PH9030L,115
NXP USA Inc.
PH955L,115
Nexperia USA Inc.
PH9930L,115
NXP USA Inc.
PSMN010-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN010-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN011-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YS,115
Nexperia USA Inc.
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation