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Référence fabricant | DMT3020LFDF-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMT3020LFDF-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMT3020LFDF-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 393pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type F) |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT3020LFDF-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT3020LFDF-13-FT |
2N7002WKX-7
Diodes Incorporated
BSS123W-7
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XC6SLX100T-N3FG900C
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M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
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XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
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EP1C12Q240C7
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