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Référence fabricant | DMT2004UPS-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMT2004UPS-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMT2004UPS-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 24V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.45V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1683pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI5060-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT2004UPS-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT2004UPS-13-FT |
AOL1206
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Microchip Technology
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5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel