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Référence fabricant | DMPH6250SQ-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMPH6250SQ-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMPH6250SQ-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 920mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMPH6250SQ-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMPH6250SQ-13-FT |
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A54SX32-1TQ144M
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A3P400-2FGG256I
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A3P125-1VQG100
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EP2C15AF484C8N
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5SGXEB6R3F40I3L
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.