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DMP22D4UFO-7B Image

Diodes Incorporated DMP22D4UFO-7B

Numéro de pièce MFG
DMP22D4UFO-7B
quantité disponible
25650 Pièces
Prix de référence
USD 0.104832
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET P-CH 20V 530MA X2DFN0604
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMP22D4UFO-7B.pdf
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DMP22D4UFO-7B Caractéristiques

Référence fabricant DMP22D4UFO-7B
Numéro de pièce future FT-DMP22D4UFO-7B
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMP22D4UFO-7B Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 530mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 28.7pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 820mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur X2-DFN0604-3
Paquet / caisse 3-XFDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMP22D4UFO-7B Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMP22D4UFO-7B-FT

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