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Référence fabricant | DMP2170U-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP2170U-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMP2170U-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 303pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 780mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2170U-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP2170U-7-FT |
ZXM61P03FTA
Diodes Incorporated
ZXMN2F34FHTA
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Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel