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Référence fabricant | DMP2006UFG-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP2006UFG-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP2006UFG-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17.5A (Ta), 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2006UFG-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP2006UFG-13-FT |
EPC2001
EPC
EPC2015
EPC
DMTH8012LPSQ-13
Diodes Incorporated
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DMTH6004SPS-13
Diodes Incorporated
XC2S200-5FGG456I
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AX1000-2FGG484
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LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel