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Diodes Incorporated DMN90H2D2HCTI

Numéro de pièce MFG
DMN90H2D2HCTI
quantité disponible
73310 Pièces
Prix de référence
USD 1.608
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN90H2D2HCTI.pdf
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DMN90H2D2HCTI Caractéristiques

Référence fabricant DMN90H2D2HCTI
Numéro de pièce future FT-DMN90H2D2HCTI
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN90H2D2HCTI Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1487pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur ITO-220AB
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN90H2D2HCTI Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN90H2D2HCTI-FT

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