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Diodes Incorporated DMN90H2D2HCTI

Name: DMN90H2D2HCTI
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN90H2D2HCTI
Price: 1.608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (703 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN90H2D2HCTI

quantité disponible: 73310 Pièces

Prix de référence: USD 1.608

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN90H2D2HCTI.pdf

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DMN90H2D2HCTI Caractéristiques

Référence fabricant	DMN90H2D2HCTI
Numéro de pièce future	FT-DMN90H2D2HCTI
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN90H2D2HCTI Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1487pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	40W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	ITO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN90H2D2HCTI Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN90H2D2HCTI-FT

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