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DMN63D1LDW-13 Image

Diodes Incorporated DMN63D1LDW-13

Numéro de pièce MFG
DMN63D1LDW-13
quantité disponible
74970 Pièces
Prix de référence
USD 0.06272
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN63D1LDW-13.pdf
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DMN63D1LDW-13 Caractéristiques

Référence fabricant DMN63D1LDW-13
Numéro de pièce future FT-DMN63D1LDW-13
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN63D1LDW-13 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Puissance - Max 310mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur SOT-23
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN63D1LDW-13 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN63D1LDW-13-FT

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