maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN60H080DS-13

| Référence fabricant | DMN60H080DS-13 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-DMN60H080DS-13 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| DMN60H080DS-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80mA (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 Ohm @ 60mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
| Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN60H080DS-13 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | DMN60H080DS-13-FT |

DMN67D8L-7
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