maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN60H080DS-13
Référence fabricant | DMN60H080DS-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN60H080DS-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN60H080DS-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 Ohm @ 60mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN60H080DS-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN60H080DS-13-FT |
DMN67D8L-7
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AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
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EP2AGX45DF25I5
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LFE2M70SE-6F900I
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation