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Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7B

Name: DMN3730UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3730UFB4-7B
Price: 0.052216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (777 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN3730UFB4-7B

quantité disponible: 57670 Pièces

Prix de référence: USD 0.052216

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN3730UFB4-7B.pdf

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DMN3730UFB4-7B Caractéristiques

Référence fabricant	DMN3730UFB4-7B
Numéro de pièce future	FT-DMN3730UFB4-7B
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
DMN3730UFB4-7B Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	750mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	64.3pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	470mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	X2-DFN1006-3
Paquet / caisse	3-XFDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3730UFB4-7B Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN3730UFB4-7B-FT

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