maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN3150L-7
Référence fabricant | DMN3150L-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMN3150L-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN3150L-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 28V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 5V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.4W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3150L-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN3150L-7-FT |
ZXM61P02FTA
Diodes Incorporated
ZXM61P03FTA
Diodes Incorporated
ZXMN2F34FHTA
Diodes Incorporated
ZXMN3F30FHTA
Diodes Incorporated
ZXMN2F30FHTA
Diodes Incorporated
DMP3130LQ-7
Diodes Incorporated
DMN2056U-7
Diodes Incorporated
DMN2230U-7
Diodes Incorporated
BSS127SSN-7
Diodes Incorporated
ZXMN2B14FHTA
Diodes Incorporated
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel