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Diodes Incorporated DMN3112S-7

Name: DMN3112S-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3112S-7
Availability: InStock
Rating: 4.7 (660 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN3112S-7

quantité disponible: 59080 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN3112S-7.pdf

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DMN3112S-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN3112S-7
Numéro de pièce future	FT-DMN3112S-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN3112S-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 5V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.4W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-23-3
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3112S-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN3112S-7-FT

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