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Diodes Incorporated DMN3016LDN-13

Name: DMN3016LDN-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3016LDN-13
Price: 0.16176 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (442 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN3016LDN-13

quantité disponible: 83630 Pièces

Prix de référence: USD 0.16176

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN3016LDN-13.pdf

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DMN3016LDN-13 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN3016LDN-13
Numéro de pièce future	FT-DMN3016LDN-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN3016LDN-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	-
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1415pF @ 15V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur	V-DFN3030-8 (Type J)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3016LDN-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN3016LDN-13-FT

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