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Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7

Name: DMN2014LHAB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2014LHAB-7
Price: 0.170992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (776 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN2014LHAB-7

quantité disponible: 94380 Pièces

Prix de référence: USD 0.170992

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN2014LHAB-7.pdf

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DMN2014LHAB-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN2014LHAB-7
Numéro de pièce future	FT-DMN2014LHAB-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN2014LHAB-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 10V
Puissance - Max	800mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-UFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur	U-DFN2030-6 (Type B)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2014LHAB-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN2014LHAB-7-FT

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