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Diodes Incorporated DMN2011UFDE-7

Name: DMN2011UFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2011UFDE-7
Price: 0.226168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (664 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN2011UFDE-7

quantité disponible: 11850 Pièces

Prix de référence: USD 0.226168

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN2011UFDE-7.pdf

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DMN2011UFDE-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN2011UFDE-7
Numéro de pièce future	FT-DMN2011UFDE-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN2011UFDE-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2248pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	610mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	U-DFN2020-6 (Type E)
Paquet / caisse	6-UDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2011UFDE-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN2011UFDE-7-FT

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