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DMN2008LFU-7 Image

Diodes Incorporated DMN2008LFU-7

Numéro de pièce MFG
DMN2008LFU-7
quantité disponible
61640 Pièces
Prix de référence
USD 0.224448
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN2008LFU-7.pdf
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DMN2008LFU-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMN2008LFU-7
Numéro de pièce future FT-DMN2008LFU-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN2008LFU-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 14.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250A
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1418pF @ 10V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-UFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur U-DFN2030-6 (Type B)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2008LFU-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN2008LFU-7-FT

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