maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / DMN2008LFU-7
Référence fabricant | DMN2008LFU-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN2008LFU-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN2008LFU-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250A |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42.3nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1418pF @ 10V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2030-6 (Type B) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2008LFU-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN2008LFU-7-FT |
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