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Diodes Incorporated DMN2005UFG-7

Name: DMN2005UFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2005UFG-7
Price: 0.219456 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (268 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN2005UFG-7

quantité disponible: 12150 Pièces

Prix de référence: USD 0.219456

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN2005UFG-7.pdf

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DMN2005UFG-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN2005UFG-7
Numéro de pièce future	FT-DMN2005UFG-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN2005UFG-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	164nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6495pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.05W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerDI3333-8
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2005UFG-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN2005UFG-7-FT

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