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Diodes Incorporated DMN13H750S-13

Numéro de pièce MFG
DMN13H750S-13
quantité disponible
53380 Pièces
Prix de référence
USD 0.16176
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN13H750S-13.pdf
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DMN13H750S-13 Caractéristiques

Référence fabricant DMN13H750S-13
Numéro de pièce future FT-DMN13H750S-13
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN13H750S-13 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 130V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 231pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 770mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-23
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN13H750S-13 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN13H750S-13-FT

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