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Diodes Incorporated DMN10H099SFG-7

Name: DMN10H099SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H099SFG-7
Price: 0.236944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (453 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN10H099SFG-7

quantité disponible: 28300 Pièces

Prix de référence: USD 0.236944

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN10H099SFG-7.pdf

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DMN10H099SFG-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN10H099SFG-7
Numéro de pièce future	FT-DMN10H099SFG-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN10H099SFG-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1172pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	980mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerDI3333-8
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H099SFG-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN10H099SFG-7-FT

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