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Diodes Incorporated DMN10H099SFG-7

Numéro de pièce MFG
DMN10H099SFG-7
quantité disponible
28300 Pièces
Prix de référence
USD 0.236944
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN10H099SFG-7.pdf
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DMN10H099SFG-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMN10H099SFG-7
Numéro de pièce future FT-DMN10H099SFG-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN10H099SFG-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1172pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 980mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerDI3333-8
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN10H099SFG-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN10H099SFG-7-FT

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