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Référence fabricant | DMN1045UFR4-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN1045UFR4-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN1045UFR4-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | X2-DFN1010-3 |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1045UFR4-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN1045UFR4-7-FT |
DMNH6012LK3-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4004LK3-13
Diodes Incorporated
DMNH6012LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH4005SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6004SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6005LK3Q-13
Diodes Incorporated
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel