maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMG1013UW-7
Référence fabricant | DMG1013UW-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMG1013UW-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMG1013UW-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 820mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 430mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.622nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 59.76pF @ 16V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 310mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG1013UW-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMG1013UW-7-FT |
DMG8880LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3031LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3052LSS-13
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ZXM66N02N8TA
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ZXM66N03N8TA
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ZXM66P02N8TA
Diodes Incorporated
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel