maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / DME505010R
Référence fabricant | DME505010R |
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Numéro de pièce future | FT-DME505010R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DME505010R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN, PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | SMini6-F3-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DME505010R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DME505010R-FT |
SN75468DRG4
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SN75469DG4
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ULN2003ADG4
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XC6SLX75-3FGG676I
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A54SX16A-2FG256I
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A54SX72A-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C1N
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EP2AGX65DF25C6NES
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5SEE9F45C4N
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XC6VLX75T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C1N
Intel