maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / DMC1030UFDB-13
Référence fabricant | DMC1030UFDB-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMC1030UFDB-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMC1030UFDB-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel Complementary |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V |
Puissance - Max | 1.36W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type B) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC1030UFDB-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMC1030UFDB-13-FT |
ZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
ZXMN6A09DN8TA
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AGL400V5-FGG256I
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Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152C
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EP3C55U484I7N
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LFEC20E-3FN484I
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LFE3-95E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180FF35I4
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