maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / DHS4E4C532KT2B
Référence fabricant | DHS4E4C532KT2B |
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Numéro de pièce future | FT-DHS4E4C532KT2B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DHS |
DHS4E4C532KT2B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Capacitance | 5300pF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 15000V (15kV) |
Coéfficent de température | N4700 |
Température de fonctionnement | 20°C ~ 85°C |
Caractéristiques | High Voltage |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Requires Holder |
Paquet / caisse | Disk, Metal Fitting - Threaded |
Taille / Dimension | 2.362" Dia x 0.768" L (60.00mm x 19.50mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DHS4E4C532KT2B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DHS4E4C532KT2B-FT |
KC355WD72E225MH01K
Murata Electronics North America
KC355LD72E474KH01K
Murata Electronics North America
KC355LD72J104KH01K
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KC355LD72J154KH01K
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AGLN015V5-QNG68
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XC6SLX100T-3FG676I
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M1A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VF400I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
EP2C5Q208C8N
Intel
EP20K30EQC208-1
Intel