maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / DHR4E4C102K2FB
Référence fabricant | DHR4E4C102K2FB |
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Numéro de pièce future | FT-DHR4E4C102K2FB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DHR |
DHR4E4C102K2FB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Capacitance | 1000pF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 15000V (15kV) |
Coéfficent de température | ZM |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 100°C |
Caractéristiques | High Voltage |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.709" Dia (18.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.866" (22.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.500" (12.70mm) |
Style de plomb | Straight |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DHR4E4C102K2FB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DHR4E4C102K2FB-FT |
GA243DR7E2472MW01L
Murata Electronics North America
GA242QR7E2471MW01L
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GA243QR7E2222MW01L
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GA243QR7E2223MW01L
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ERB32Q5C1H102JDX1L
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Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
A3P250-2VQG100
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EP2S30F484C3
Intel
EP3SE50F484C2
Intel
EP3C25F256C6N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
A3P250L-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180FF35I4N
Intel