maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / DHR4E4A221K2BB
Référence fabricant | DHR4E4A221K2BB |
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Numéro de pièce future | FT-DHR4E4A221K2BB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DHR |
DHR4E4A221K2BB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Capacitance | 220pF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 10000V (10kV) |
Coéfficent de température | ZM |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 100°C |
Caractéristiques | High Voltage |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.354" Dia (9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.394" (10.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.374" (9.50mm) |
Style de plomb | Straight |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DHR4E4A221K2BB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DHR4E4A221K2BB-FT |
KR355WD72W125MH01K
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A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXMA5N3F45C3N
Intel
XC5VLX155-3FFG1760C
Xilinx Inc.
AGL250V2-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ100
Microsemi Corporation
LFXP6C-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DCU324C8G
Intel
EPF10K50VBI356-4
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