maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / DGTD65T40S2PT
Référence fabricant | DGTD65T40S2PT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DGTD65T40S2PT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DGTD65T40S2PT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Puissance - Max | 230W |
Énergie de commutation | 500µJ (on), 400µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 60nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 6ns/55ns |
Condition de test | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DGTD65T40S2PT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DGTD65T40S2PT-FT |
IGB20N65S5ATMA1
Infineon Technologies
IKFW60N60EH3XKSA1
Infineon Technologies
DGTD120T25S1PT
Diodes Incorporated
DGTD65T40S1PT
Diodes Incorporated
AIHD03N60RFATMA1
Infineon Technologies
AIHD04N60RATMA1
Infineon Technologies
AIHD04N60RFATMA1
Infineon Technologies
AIHD06N60RATMA1
Infineon Technologies
AIHD06N60RFATMA1
Infineon Technologies
AIHD10N60RATMA1
Infineon Technologies
XCV100-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AX1000-FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
XA6SLX25T-3CSG324Q
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
10AX115H4F34E3LG
Intel