maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / PMIC - Pilotes de porte / DGD2012S8-13
Référence fabricant | DGD2012S8-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DGD2012S8-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DGD2012S8-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration pilotée | Half-Bridge |
Type de canal | Independent |
Nombre de conducteurs | 2 |
Type de porte | N-Channel MOSFET |
Tension - Alimentation | 10V ~ 20V |
Tension logique - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
Courant - sortie de crête (source, puits) | 1.9A, 2.3A |
Type d'entrée | Non-Inverting |
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) | 200V |
Temps de montée / descente (type) | 40ns, 20ns |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DGD2012S8-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DGD2012S8-13-FT |
IR2235J
Infineon Technologies
IR2235JTR
Infineon Technologies
IRS2330DJPBF
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XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
XC7VX330T-2FF1157I
Xilinx Inc.
XA7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG160I
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LFEC10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
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