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Référence fabricant | DG411LEDY-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-DG411LEDY-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DG411LEDY-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Circuit de commutation | SPST - NC |
Circuit multiplexeur / démultiplexeur | 1:1 |
Nombre de circuits | 4 |
Résistance à l'état passant (max) | 26 Ohm |
Correspondance canal à canal (& Delta; Ron) | - |
Tension - Alimentation simple (V +) | 3V ~ 16V |
Tension - Alimentation double (V ±) | ±3V ~ 8V |
Temps de commutation (Ton, Toff) (Max) | 50ns, 30ns |
-3db Bande Passante | - |
Injection de charge | 6.6pC |
Capacité de la chaîne (CS (désactivé), CD (désactivé)) | 5pF, 6pF |
Courant - Fuite (IS (off)) (Max) | 1nA |
Diaphonie | -114dB @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DG411LEDY-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DG411LEDY-GE3-FT |
NLV14053BDR2G
ON Semiconductor
HCF4051YM013TR
STMicroelectronics
MC74LVX4053DR2G
ON Semiconductor
NLV74HCT4851ADRG
ON Semiconductor
DG409DYZ-T
Renesas Electronics America Inc.
MC14051BDR2G
ON Semiconductor
MC74VHC4052DR2G
ON Semiconductor
DG408DY-T1-E3
Vishay Siliconix
MC74HCT4851ADR2G
ON Semiconductor
MC74LVXT8051DR2G
ON Semiconductor
EX64-TQ64I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FGG456I
Xilinx Inc.
EPF10K100EFC256-1
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
5SGXMA4K2F35C3N
Intel
A3P125-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation