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Référence fabricant | DG2735ADN-T1-GE4 |
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Numéro de pièce future | FT-DG2735ADN-T1-GE4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DG2735ADN-T1-GE4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Circuit de commutation | SPDT |
Circuit multiplexeur / démultiplexeur | 2:1 |
Nombre de circuits | 2 |
Résistance à l'état passant (max) | 500 mOhm |
Correspondance canal à canal (& Delta; Ron) | 60 mOhm |
Tension - Alimentation simple (V +) | 1.65V ~ 4.3V |
Tension - Alimentation double (V ±) | - |
Temps de commutation (Ton, Toff) (Max) | 78ns, 58ns |
-3db Bande Passante | 50MHz |
Injection de charge | - |
Capacité de la chaîne (CS (désactivé), CD (désactivé)) | 55pF |
Courant - Fuite (IS (off)) (Max) | 2nA |
Diaphonie | -70dB @ 100kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquet / caisse | 10-UFQFN |
Package d'appareils du fournisseur | 10-miniQFN (1.4x1.8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DG2735ADN-T1-GE4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DG2735ADN-T1-GE4-FT |
ISL54062IRTZ
Renesas Electronics America Inc.
AS1746-BTDR
ams
ISL54062IRTZ-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL54063IRTZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL54063IRTZ-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL54064IRTZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL54064IRTZ-T
Renesas Electronics America Inc.
AS1746-BTDT
ams
AS1747-BTDT
ams
AS1747-BTDT-1K
ams
XC4006E-4TQ144C
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FG484I
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M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-2
Intel
A40MX04-PL44M
Microsemi Corporation
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation