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Référence fabricant | DFLS160Q-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DFLS160Q-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DFLS160Q-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 67pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | POWERDI®123 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFLS160Q-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFLS160Q-7-FT |
SBR2M60S1F-7
Diodes Incorporated
MBR230S1F-7
Diodes Incorporated
SDM1100S1F-7
Diodes Incorporated
S1MWF-7
Diodes Incorporated
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US1GWF-7
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RS1MSWF-7
Diodes Incorporated
S1MSWFQ-7
Diodes Incorporated
SBR2U60S1F-7
Diodes Incorporated
B160S1F-7
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel