maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFEH10040D-100M=P3
Référence fabricant | DFEH10040D-100M=P3 |
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Numéro de pièce future | FT-DFEH10040D-100M=P3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFEH10040D |
DFEH10040D-100M=P3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 5.7A |
Courant - Saturation | 7.3A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 33 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 155°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.429" L x 0.394" W (10.90mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.157" (4.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFEH10040D-100M=P3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFEH10040D-100M=P3-FT |
FDSD0420D-1R0M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0420D-3R3M=P3
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel