maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFE252010F-100M=P2
Référence fabricant | DFE252010F-100M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-DFE252010F-100M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE252010F |
DFE252010F-100M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 900mA |
Courant - Saturation | 1.5A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 600 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252010F-100M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFE252010F-100M=P2-FT |
1255AY-150M=P3
Murata Electronics North America
1264EY-100M=P3
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LCMXO1200C-4T100I
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XCV800-5FG676C
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M1A3P600-FG256I
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A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
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XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
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