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Référence fabricant | DF2S6.8MFS,L3M |
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Numéro de pièce future | FT-DF2S6.8MFS,L3M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF2S6.8MFS,L3M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 15V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3A |
Puissance - Peak Pulse | 45W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | - |
Capacité à fréquence | 0.45pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-923 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-923 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2S6.8MFS,L3M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF2S6.8MFS,L3M-FT |
ICTE5HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE8CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE8HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE10-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE10-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE10A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE10A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE11A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE11A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE12-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation