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Référence fabricant | DF2B7AFS,L3M |
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Numéro de pièce future | FT-DF2B7AFS,L3M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF2B7AFS,L3M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 5.8V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 20V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 4A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 80W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | - |
Capacité à fréquence | 8.5pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-923 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-923 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2B7AFS,L3M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF2B7AFS,L3M-FT |
ICTE12CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE12HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE15CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE15HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE18CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE18HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE5HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE8CHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICTE8HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCE10-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation