Référence fabricant | DF201-G |
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Numéro de pièce future | FT-DF201-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF201-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF201-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF201-G-FT |
GBPC15005W-G
Comchip Technology
GBPC1501-G
Comchip Technology
GBPC1501W-G
Comchip Technology
GBPC1502-G
Comchip Technology
GBPC1502W-G
Comchip Technology
GBPC1504-G
Comchip Technology
GBPC1504W-G
Comchip Technology
GBPC1506-G
Comchip Technology
GBPC1506W-G
Comchip Technology
GBPC1508-G
Comchip Technology
A3PN030-ZQNG68
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2N
Intel
LFXP3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C8G
Intel
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C4N
Intel