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DF200R12W1H3FB11BOMA1 Image

Infineon Technologies DF200R12W1H3FB11BOMA1

Numéro de pièce MFG
DF200R12W1H3FB11BOMA1
quantité disponible
61740 Pièces
Prix de référence
USD 66.206
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
EasyPACK™ MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DF200R12W1H3FB11BOMA1.pdf
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DF200R12W1H3FB11BOMA1 Caractéristiques

Référence fabricant DF200R12W1H3FB11BOMA1
Numéro de pièce future FT-DF200R12W1H3FB11BOMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries EasyPACK™
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Puissance - Max 20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DF200R12W1H3FB11BOMA1-FT

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