Référence fabricant | DF02-G |
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Numéro de pièce future | FT-DF02-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF02-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF02-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF02-G-FT |
GBJ3510-F
Diodes Incorporated
GBJ8005-F
Diodes Incorporated
GBPC15005-G
Comchip Technology
GBPC15005W-G
Comchip Technology
GBPC1501-G
Comchip Technology
GBPC1501W-G
Comchip Technology
GBPC1502-G
Comchip Technology
GBPC1502W-G
Comchip Technology
GBPC1504-G
Comchip Technology
GBPC1504W-G
Comchip Technology
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
10AX027E2F27E2SG
Intel
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP20K400ERC208-1
Intel