maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / DEHR33D102KB3B
Référence fabricant | DEHR33D102KB3B |
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Numéro de pièce future | FT-DEHR33D102KB3B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DEH |
DEHR33D102KB3B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Capacitance | 1000pF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 2000V (2kV) |
Coéfficent de température | R |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Voltage, Low Dissipation Factor |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.472" Dia (12.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.591" (15.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Style de plomb | Formed Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DEHR33D102KB3B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DEHR33D102KB3B-FT |
DEHR33F181KP3A
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Microsemi Corporation
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5SGXMA9N3F45I3LN
Intel
XC7S15-2CPGA196I
Xilinx Inc.
LFXP6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F31C5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EQC240-2N
Intel
EPF10K50VQI240-2
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