maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / DEBB33D681KB2B
Référence fabricant | DEBB33D681KB2B |
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Numéro de pièce future | FT-DEBB33D681KB2B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DEB |
DEBB33D681KB2B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Capacitance | 680pF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 2000V (2kV) |
Coéfficent de température | B |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Caractéristiques | High Voltage |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.276" Dia (7.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.394" (10.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Style de plomb | Formed Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DEBB33D681KB2B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DEBB33D681KB2B-FT |
DEBB33A472KN3A
Murata Electronics North America
DEBB33D332KA3B
Murata Electronics North America
DEBB33D332KB3B
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DEBB33F101KP3A
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Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2S30F484C3
Intel
EP3SE50F484C2
Intel
EP3C25F256C6N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
A3P250L-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180FF35I4N
Intel