maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / DEA1X3D101JB2B
Référence fabricant | DEA1X3D101JB2B |
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Numéro de pièce future | FT-DEA1X3D101JB2B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DEA |
DEA1X3D101JB2B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Capacitance | 100pF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 2000V (2kV) |
Coéfficent de température | SL |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Voltage |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.276" Dia (7.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.394" (10.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Style de plomb | Formed Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DEA1X3D101JB2B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DEA1X3D101JB2B-FT |
DHR4E4C331K2BB
Murata Electronics North America
DHR4E4A331K2BB
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A1425A-PQ100I
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LFE2-12SE-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
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EP1K10TC100-2N
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5SGXEABK3H40I3LN
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EP3SE260F1152C3N
Intel
XC5VFX130T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35C4N
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EP1S30F780I6N
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